三隅 倫 巨乳 第三代半导体中的碳化硅，有哪些投资契机？
本文来自微信公众号：水深三米（ID：semi_in_water）三隅 倫 巨乳，作家：满川爱潜水，原文标题：《碳化硅的投资想考》三隅 倫 巨乳，头图来自：视觉中国
本文从碳化硅的4点中枢行业环境登程，推崇3个备受祥和问题的观点，以及在目前情形下的2点投资想路，供与诸位大家教悔探讨。
中枢的行业环境：衬底产能、器件结构、晶圆尺寸、国内扩产；
祥和的投资问题：SBD VS MOS、车规VS 非车规、Fabless VS IDM、Si 利润水平 VS SiC 利润水平；
倾向的投资鸿沟：优先计议“外延片&器件制造”组合或“车规&模块”组合，其次计议“IDM&SBD”组合或“CIDM&MOS&高质地客户群体”组合。
一、中枢行业环境
1. 衬底产能
高品性衬底材料高度集合，CR3迟缓升迁材料私用比例，几大IDM中分剩余主要产能，未来几年，若国内衬底厂商莫得权贵朝上，材料产能大要率依旧会是二三线器件厂商成长的天花板。
当下市集供应由衬底驱动。紧缺居品交期大要是1年至1.5年，这样紧俏的市集为啥一时半会扩不出来产能？
说明派恩杰首创东说念主公开访谈的数据涌现，Wolfspeed目前等效6寸片的产能范围约为6万片/月，按照其50%市占率测算，全球等效8寸片的产能范围6.4万片/月，对于传统的功率大厂买几台SiC的专用开发，在制造要领扩产照旧相对容易的。主要问题照旧在上游的材料要领，Wolfspeed、ROHM、ⅡⅥ三家掌持了大要80%的衬底产能，三家的扩产节拍举座模范了市集产能供给。
未来三年市集依旧由衬底产能驱动。说明Wolfspeed最新的投资者大会（2021年11月）所公布的数据涌现， Wolfspeed预测2022年和2024年的产能分散为90万片和130万片（折算6寸），其中8英寸分散为12万片和17万。假定Wolfspeed连接督察全球50%的市集份额，那么全球2022年和2024年市集销量折合6英寸分散约为180万片至260万片。目前高质地衬底的利用主要集合于CR3，以国际IDM大厂收购的NORSTEL、GT-Advanced厂商的衬底产能还较低，以国内厂商为代表的衬底厂商的居品良率、品性和坐褥后果还有一定差距，如若后期在技巧和产能的追逐上莫得缺陷程度，短期看中高功率器件产业链的上游主要还受衬底CR3阻挡。
CR3迟缓升迁材料私用比例。说明Wolfspeed投资者大会（2021年11月）数据涌现，2021财年衬底材料和芯片对营收的孝顺收支不大，然则预测2024年后，Wolfspeed的营收将由2/3来自芯片居品。咱们再看ROHM 2025年但愿能够获取大要30%的市集份额，目前其衬底和器件的市集份额均低于20%，且器件的市集份额较低，如若要完成30%的市集份额主见，政策转型向器件的场所发力是例必的政策旅途。再看ⅡⅥ公司最近的动作，从通用技巧取得了器件和模块的制造技巧，ⅡⅥ也盯上了通盘产业链的大蛋糕。
图片来源：水深三米
几大IDM中分剩余主要产能。说明Wolfspeed投资者大会（2021年11月）数据涌现，2024年后，Wolfspeed的营收将由三分之二来自芯片居品，如若按照材料65%的成本占比测算，2021年和2024年的材料私用比例从40%升迁到了56%。说明目前Wolfspeed 5年内恒久产能左券15亿好意思金，计议其未来的营收和材料销售比例预测，大部分的材料产能一经被几大IDM厂商预定，后期的衬底供应的神色大要率不会有权贵的变化。
2. 晶圆尺寸
8寸晶圆的成本效益权贵高于产业预期。
对于8英寸，前期环球对其成本效应有不同的观点，有不少不雅点是8英寸的机台开发太贵，导致分担成本过高。说明Wolfspeed最新的投资者大会（2021年11月份）所公布的数据涌现，以32闲居毫米的MOSFET裸片为例，预测2024年8英寸晶圆厂的单颗裸片成本是目前6寸厂的37%！
Wolfspeed 2019岁首始建造8英寸材料和晶圆制造工场，且高度自动化；预测2022岁首始爬坡，2024年达产。达产后，8寸材料达到材料产能的一半。说明最新的投资者默契会，良率方面，8寸在作念完化学机械抛光CMP后的良率可到90%以上。裸片数目方面，2024年，以32闲居毫米的裸片为例，从六寸晶圆扩大到八寸晶圆，PDPW增多了近90%。自动化程度方面，Wolfspeed的4寸和6寸的洁净间和开发还主要基于LED的坐褥环境，8寸是Wolfspeed第一个确切道理上的功率器件工场。
2024财年MVF晶圆厂的单颗MOSFET裸片成本缩短63%，其中28%的降原本自良率升迁，25%来自范围效应，另有10%来自自动化减少的东说念主工和坐褥周期。
图片来源：水深三米
3. 器件结构
国表里的SiC MOSFET的器件结构存在代际差距。
（一）硅基器件结构的摩尔定律
器件结构专利相当难绕开：各类器件结构的工艺专利相对有一定的空间规避，但器件结构由于太过于基础，专利绕不开，除了侵权就基本只可等专利逾期或交专利授权费。IGBT在前5代结构每一代都是碾压式的性能和成本上风，5代后上风放缓。目前IGBT第5代结构专利已逾期，第6代算是第4代的加强版。英飞凌器件结构的技巧壁垒给性能成本带来的旯旮效益一经没那么昭着，近几年国内IGBT迎来了大发展。
图片来源：斯达半导体招股书
（二）SiC MOSFET结构大要率重走IGBT老路
可量产的SiC沟槽结构高度稀缺。目前平面结构的厂商主要包括Wolfspeed、ST、Microsemi，国内批量的有APS、瞻芯、瀚芯、派恩杰这几家Fabless企业，沟槽结构已量产的有ROHM、英飞凌。据公众号碳化硅学习条记参谋信息涌现，目前业界能够量产的SiC沟槽结构仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构。
图片来源：Yole经修改
沟槽结组成本和性能上风昭着。目前ROHM Gen3结构（Gen1 Trench结构）的芯单方面积格外于是Gen2（Plannar2）的75%，团结芯片尺寸的导通电阻可缩短50%。
图片来源：ROHM
再看 ROHM Gen4结构（Gen2 Trench结构）的性能。在不就义短路耐受时辰的前提下，奏效地使导通电阻比以往居品缩短约40％，通过大幅缩短栅走电容（Cgd），奏效地使开关损耗比以往居品缩短约50％。
图片来源：ROHM
SiC MOSFET的器件结构目前看在重走IGBT的路，国内厂商如若无法突破沟槽结构的专利壁垒，一直在平面结构演进的话，那么代际的差距可能还会迟缓拉大。
4. 国内扩产
国产衬底的大范围投产正在进行中，衬底的良率、后果、品性手脚迫切变量，对国内器件厂商未来的成本结构、产能瓶颈会有较大影响。
目前国内产能不及20万片，未来，据中国电子材料行业协会统计，国内SiC衬底在建和已建成的神色就低于30个，神色总野心投资额额外300亿元东说念主民币，预测野心产能超200万片/年。这内部好多产能可能难以最终落地，然则仅计议天岳、天科、露笑、同光、烁科、三安等几家相对靠谱的厂商，几年内投产100万片/年的产能看着照旧蛮有但愿的，而Wolfspeed 2024年预测产能约为130万片，国内衬底厂商的采集体预测能成为全球一个不成忽视的力量。
咱们可以对这部分的产能作念个假定，关节要素包括成本、质地两个部分，其中8寸几年内范围出货可能性不大暂不计议。
成本方面，由于国内衬底坐褥良率和后果低，成本比较CR3都还有很大的差距，如若几年内国产衬底厂商能够开释大范围的有用产能，成本能够阻挡到与国外厂商基本差未几，鉴于目前全球衬底的毛利还较高，重叠目前国内热钱本钱对快速扩产的杠杆效应，衬底价钱大幅下行是例必的。
质地方面，如若衬底的质地照旧难以充分悠闲大功率器件，尤其是大功率MOSFET的条款，那么这部分的衬底可能会比较集合冲进中低功率SBD市集，衬底的价钱竞争会更热烈，但有益于器件厂商SBD居品毛利率的升迁。如若是衬底质地能够悠闲大功率MOSFET的坐褥条款，在产能方面，国内器件厂商可以碎裂高品性衬底的产能瓶颈，在成本方面，对国内厂商的SBD和MOSFET居品毛利率的升迁均有很大的匡助。
二、祥和的投资问题
问题一：SBD VS MOSFET
器件结构和晶圆尺寸带来的代际压力，MOS比较SBD要明锐的多，MOSFET预测会靠近相当大的成本压力。
（一）技巧维度
从静态的角度看，现阶段MOSFET是个好生意，出货也不易。
由于MOSFET难度大，毛利率高，MOSFET居品显然更能收货。因此目前不少股权投资机构将MOSFET的研发和出货情况手脚判断SiC器件公司投资价值的迫切斟酌模范。
鉴于目前全球SiC MOSFET缺货的市集行情，国内几家Fabless企业较早的研发程度及与全球稀缺的SiC代工产能的深度招引关系，中国电动车和光伏供应链的先天上风，国产厂商的订价策略，目前国内已连续有Fabless企业的MOSFET居品在出货。不计议后期居品可靠性的潜在不利要素，能够冲进MOSFET的阵营，其实对企业的研发才气、供应链处置才气都是一个很大的详情，如实辞谢易。
从动态的角度看，后期国内MOSFET的竞争力例必会靠近成本压力。
SBD和MOSFET的中枢的互异：一是对晶圆尺寸成本效益的明锐度不同，按照Wolfspeed的数据口径，计议衬底劣势的情形下，MOSFET 6寸和8寸平台的良率存在近20%-30%的互异，因此对8寸的成本效应相当明锐；计议衬底劣势的情形下，SBD 6寸良率一般能过90%，对8寸的成本效益相对不解锐。二是器件结构的系统性互异程度不同，MOSFET的平面型和沟槽型的互异有点像自行车和活泼车的差距，目前国表里SBD的代际互异更像是平凡活泼车和跑车的差距。
图片来源：水深三米
上文提过，Wolfspeed 8寸MOSFET 成本能缩短约63%，假定沟槽结构的成本能够保持平面结构的75%（ROHM第一代沟槽结构的成本大要是第二代平面结构面积的75%），且沟槽结构后续也会迟缓演进到8寸平台，良率和平面结构基本一致，那么沟槽结构的成本大要是现存6寸平面结构的28%！
图片来源：水深三米
也就是说如若6寸平面型MOSFET的毛利率0%，那么8寸沟槽型的毛利率则达到了恐怖的72%，远高于功率器件市集的毛利率，更是远高于Wolfspeed 预测的2024年至2026年的毛利率50%-54%，因尔后续的6寸平面MOS靠近着巨大的成本压力。
图片来源：水深三米
因此，如若因为看到目前MOSFET的毛利高，以MOSFET的出货手脚主要投资逻辑，后期还需要阅历高质地衬底的产能瓶颈、8寸和器件结构带来的成人性能压力。
另外，如若国内衬底产能和品性上不来，稀缺的非恒久的衬底产能既不经济，亦然企业作念大MOSFET功绩范围的天花板。
问题二：IDM VS Fabless
IDM友好SBD，Fabless友好MOSFET。
目前国内SiC器件公司主要有四种格局，一是患难之交的Fabless企业，只想象，工艺全交给代工场，这个很好意会；二是会COT局部工艺参数的厂商，这一类的工艺技巧以公开工艺信息来源为主，施行道理和宣传道理到底哪个更强值得商榷；三是会将部分SiC独有中枢工艺外包代工，其余工艺在我方阻挡或强关联的产线作念，这种格局距离调通好意思满工艺还有较大差距；四是一皆工艺在自有产线作念。
在硅基鸿沟，由于想象工艺强干系、型号繁茂、成本明锐等要素，功率和模拟电路都有典型的IDM旅途依赖特征。这里，为了分析SiC生意格局的特殊性，咱们要点看下SiC比较硅基功率器件，有哪些主要的区别？
想象主要区别：一是穷乏想象教会、二是穷乏有用的仿真支援，因此导致想象要领的奏效劳比较硅基要低不少。
流片主要区别：一是纯熟代工产能集合于境外（尤其是MOSFET），导致单次流短暂辰长；二是单次流片成本远高于硅基；三是有用制造产能高度集合；四是目前6寸和8寸的成本互异比较硅基要昭着的多。
说明两者区别，再看一下SiC的独有产业环境下IDM和Fabless的优劣势。
IDM格局的主要上风：一是SiC的IDM格局对系列化的居品开发会更快更低廉，这点比较硅基IDM相当隆起；二是由于各家的工艺都不相通，各家的工艺基本都有其优劣势，IDM格局格外于把持了全球稀缺的工艺来源，带来居品的互异化竞争力。
Fabless的主要上风：一是如若作念MOSFET的话，那国内IDM还不具备纯熟的工艺才气，只可遴选代工去作念，Fabless在MOSFET方面的进展速率快。二是如若一个代工场所代工的居品一经有了现场考据数据，那这条供应链的基础可靠性一经得到了考据，比带着面纱的国内供应链更易于让客户采纳；三是如若后期代工场迟缓切换到8英寸，那么想象公司也能侍从切换到8英寸平台，不需要额外的工艺研发和本钱性开销的职守。
另外，有少许硅基和SiC都有，然则也很迫切，在IDM格局下，想象和工艺能够共同以居品为共同主见，双向互动，只为居品的详细竞争力矜重，而不是代工场主要只对其工艺杀青才气矜重。
图片来源：水深三米
再索取一下，IDM格局对SBD居品比较友好，主要体现两点，一是，由于国内SBD工艺一经相对纯熟，IDM格局的研发后果和成本管控要权贵优于Fabless格局，比较硅基更甚。SBD对8寸带来的成本效益莫得那么明锐，IDM的6寸产线日子也能过得可以。Fabless格局对MOSFET居品比较友好，一是目前MOS中枢工艺开发难度不小，二是跟着代工场也迟缓向8寸升级，Fabless向8英寸切换相对愈加容易一些。
问题三：车规市集
近几年是参预车规市集的关节窗口期，然则由于衬底和制造产能的客不雅要素，国内器件厂商难以在此期间成为主要选手。
说明Yole的预测数据涌现，预测2025年汽车鸿沟的SiC销售额占比约达到61%，汽车市集是SiC公司回复未来发展旅途难以遁藏的迫切问题。
关节市集窗口期。一是车规SiC市集来的很快很猛很集合，跟着特斯拉和比亚迪等车企的示范效应，新动力旗舰车型也迟缓由600V平台向800V平台切换，近几年景为各家车厂的爆款车型利用SiC的市集窗口期。二是窗口期内市集属性有施行区别，如若说五年内是硅抽身让出来给SiC公司率性决骤的相对弱竞争市集，照旧Si和SiC之间的竞争，那么五年后新参预者要面对的可能等于SiC和SiC的竞争。
那么面对市集窗口期，国内企业有多大契机去分一杯羹呢？
说明2021年前三季度的新动力统计数据涌现，前二十大车型预计市占率约为40%；前二十大车型的最低年出货量超5万辆，对应逆变器、OBC对应的6寸SiC晶圆的全年需求量差未几约为1.6万片和0.4万片。说明国金证券的预测，2020年至2025年的新动力汽车复合增长率约为32.4%，大要是4年翻4倍，也就是说目前的一款爆款车，2025年的销量可能至少得20万辆，其对应的SiC的峰值产能需求大要是6.5万片和1.6万片。
由于目前国内IDM公司虽有一经通过16949和AEC-Q101的企业，但尚未范围出货MOSFET居品，且汽车鸿沟的主要利用居品是MOS，因此IDM确切道理上车还需要时辰，这个比较阳春白雪，咱们要点看下Fabless企业的情况。
Fabless离主力车规市集还有一纸衬底恒久左券和一个恒久产能的距离。
对于新动力汽车这种高速增长的市集，从车厂的角度，考量SiC供应商产能供给才气详情不仅是一两年的时辰维度，产能在何处是进车的相当迫切的要素，这亦然目前ROHM、Wolfspeed都将恒久强健产能手脚其对外售售的迫切宣传语的原因。
先看衬底产能，上文提到过，看未来几年衬底的破钞者神色不会有权贵变化，能上车的优质衬底产能一经基本被包出去了，先不计议剩余衬底价钱的问题，关节是量小且难有供应保险。
再看代工供应链，说明汉民集团对外提供的公开信息，汉磊现存产能大要是1000片（4+6），2023年至2024年将6寸平台扩产到约4000片/月。经XFAB公布的购买开发情况和对外皮露的碳化硅财务数据测算，XFAB现存的产能应该约为5000片/月（6寸），但Lubbock最大可扩产至2万片/月（折合6寸）。另外，积塔6寸5000片/月、华润微6寸1000片/月。按照目前代工场的产能范围，目前全球最大的SiC代工场XFAB的一皆产能还不够应酬一辆爆款车四年后的主驱产能需求，因此如若一家Fabless没法绑定一家Foundry的产能，且这家Foundry也莫得明确的扩产磋议，参预主驱市集或手脚OBC\DCDC居品的主力供应商的难度照旧可想而知的。
图片来源：水深三米
目前咱们会看到国内开首的几家器件企业基本都在向车规级模块布局，车规器件给企业充满估值，车范围块给企业充满产值。
问题四：利润水平
撇开外延片的SiC器件生意，并不比硅基收货。
1. 毛估行业联想毛利率水平为60%，饱读励东说念主心
由于Wolfspeed表露了2024年和2026年的毛利率为50%-56%，且2024年至2026年GaN业务的占比一经很小，企业毛利率水平基本代表SiC业务的毛利水平，可以手脚行业毛利率的参考模范。
由于2020年至2023年是Wolfspeed的本钱性开销岑岭期，绝大部分新增产能来源于此阶段的本钱性开销，近似于是一个新建的工场，短时辰的折旧压力巨大，因此参考其毛利率的时候，需要摈斥其折旧的烦躁要素。按照近几年约10亿好意思金的本钱性开销和2024年15亿好意思金的营收主见，近几年高强度的本钱性开销带来的新增折旧对毛利的影响毛估估8%的影响，咱们可以把这部分加回（按照三分之二进成本狡计），Wolfspeed 2024年至2026年的毛利率水平约为60%，以该数据手脚行业联想的毛利率参考数据。
2. 毛估剔之外延片价值量的毛利率37%，并不睬想
如若一个产业包括多个价值要领，假定所有子要领均是高度单干招引，其中某一要领的寂然售价在最终居品售价的占比是A%，该要领的毛利率为a%，该要领如若能垂直整合进来，表面上企业毛利率增多约A%*a%（这里暂不计议折旧对开发钞票折旧对于垂直整合和代工格局的不同影响，晶圆制造开发要领的折旧时辰一般是5-10年，对于径直掌持制造要领的话，一般会有2/3左右进了成本内部，影响企业的毛利率。而Fabless拿到的代工价钱却和制造厂的高强度折旧莫得径直关系，代工场近似于按照开发的施行使用期限来进行折旧，体现到对外代办事事的售价中）。
按照Wolfspeed 2024年至2026年大要60%毛利率体现了外延片、器件制造的详细价值。咱们按照外延片单独销售的毛利率亦然60%左右的水平（Wolfspeed莫得单独表露外延片的毛利率，然则鉴于现时的紧缺度，该部分业务的毛利率应该不比举座毛利水平低）测算，如若Wolfspeed不包括外延片的业务，那么毛利率将缩短为37%，也基本代表国际上传统硅基IDM大厂在不计议折旧影响下的SiC业务的毛利率水平。2020年英飞凌、意法半导体、安森好意思毛利率分散为32%、37%、33%，剔除折旧的影响后（按照三分之二进成本狡计）的毛利率为46%、46%、44%，比较上文提到的剔之外延片后的SiC业务的毛利率还要高不少，举座看，如若不掌持上游材料的价值量，单纯作念器件的话并不比硅基收货。
如若要将衬底在器件的成本比例降下来，远期主要看液相法等新技巧带来衬底自己成本的缩短，近期主要要素一个是6寸MOSFET良率的进一步升迁，二是国内衬底的范围化利用。国内厂商的成本结构还靠近着晶圆尺寸、器件想象的代际互异（说明上文提到的，8寸沟槽的MOSFET坐褥成本毛估约为目前6寸平面MOSFET的28%，如若是购买国外衬底的话，还靠近着比较恒久衬底产能愈加昂然的价钱，因此国内厂商靠近着愈加大的成本压力）。
短期看，近三到五年，最有但愿能发生变化的要素就是国内衬底的范围化利用。国内器件公司几年内的毛利率水平并辞谢乐不雅，另外，SiC东说念主才的薪资、东说念主员薪酬外的研发开销也都要比硅基要高，冷落以不高于硅基上市公司的毛利率和净利率预测。
三、冷落的投资鸿沟
1. 投“外延片+器件制造”或“模块&车规”
（一）投“外延片+器件制造”
撇开外延片的SiC器件生意，并不比硅基收货，涵盖了外延片要领可能才是确切道理上环球感官上的新赛说念的好生意。本东说念主在《Cree的2024年》也提到过这种格局的上风，除了供应链和研发的上风外，成本竞争力如实互异大。
作念一个比较极点的假定，如若三安集成连接走Led的中国性情道路，将价钱一下子打下来，比如将SiC居品的毛利率缩短到25%（大要是目前硅基功率器件的水平），那意味着，只有第三方的外延片厂商的毛利率还有40%，那么患难之交的器件厂商就基本没法收货了。
然则，由于目前单一主体整合一皆要领的在产企业仅三安集成一家，要投这种格局的企业可遇不成求。这种格局对本钱才气、团队复合程度、首创团队包容度也有很大的关系，是一个相对雄壮的工程，需要丰富生意教会和处置才气，不好独霸，具备较大的门槛。
（二）投“模块&车规”
近几年是参预车规市集的关节窗口期，然则由于衬底和制造产能的客不雅要素，国内器件厂商难以在此期间成为主要选手，另外，车规主要居品MOSFET依旧靠近着国外的技巧代际竞争压力，因此在车规市集径直硬刚器件其实相当难。
车手脚最大且增长最快的市集，目前手脚关节时期，其实车范围块是一个可以的旅途，既不会错过这个关节时期，又规避了MOSFET这个强技巧竞争赛说念。
模块公司我意会主要三点，车厂绑定程度、国际器件大厂绑定程度、银烧结等新技巧，迫切性递次缩短。
2. 投“SBD&IDM”和“CIDM&MOS&高质地客户群体”
（一）投“SBD&IDM”是咫尺恰当的遴选
说明Yole的预测，预测2023年二极管和MOSFET的销售占比差未几各占一半，在前四大市集电动车、PFC&电源、光伏、充电桩占比分散为14%、67%、46%、40%，除了电动车，其他三大市集其实SBD的市集份额和MOSFET差不了些许。
说明HIS的预测数据，2027年全球SiC功率半导体的市集范围为102亿好意思金，预测SiC二极管的市集范围不低于20亿好意思金。对照目前全球功率器件市集范围约为180亿好意思金，其中二极管和晶体管占比分散为1/3和2/3，硅基二级管的市集范围是60亿好意思金。扬杰科技、苏州固锝、华微电子三家TOP3的原土二极管厂商2021年的全年营收大要在20亿元至40亿元之间，如若按照国内SiC和目前硅基二极管的全球市占率近似，那么国内出货前三名的SiC二极管公司的营业收入将达到约为7亿元至13亿元。
按照目前的投产情况，三安集成大要率是会在内部的，其他主要看IDM公司。
（二）投“CIDM&MOS&高质地客户群体”
中短期内，MOSFET靠近着技巧代际的互异，模范了MOSFET的发展空间和利润水平。
短期看，8寸范围化的成本效益转动点还有两年的时辰，现时6寸平面型和沟槽型的成本和性能互异还不夸张，加上举座缺货的市集行情，6英寸的平面MOSFET还有其人命力。恒久看，MOSFET毕竟是价值量最高的部分，待技巧的互异权贵减弱，国内SiC MOSFET大发展的时辰有望驾临。
然则，中期看，8寸和沟槽型的代际差距、衬底和制造产能缺口、Fabless和小范围购买国外衬底对成本压力，都是MOSFET的严峻挑战，需要有敬畏之心。
冷落投资“CIDM&MOS&高质地客户群体”。在供应链上，冷落投资与国际晶圆厂有高度绑定关系的Fabless，既能多拿到一些产能，也能取得更多的工艺技巧支援，在后期Foundry由6寸向8寸转的时候也能取得更多的先机。在业务上，冷落投资在品牌客户布局上有先发上风的企业，尤其是在车规、光伏、充电这三块市集。一是国内厂商备份国内供应链有一定的潜在需求，即便后期国际大厂能经济充分供货，国内厂商也能有一定份额，目前能卡进去就是先发上风。二是车规工业品牌客户的销售的毛利率也还可以。
另外，国内Fabless招引Foundry量产8寸（五年内大要率没问题），沟槽结构专利逾期（大要还有10年时辰），是MOSFET投资值得要点祥和的时辰点。
参考贵府
1. Wolfspeed，《Wolfspeed Investor Day，2021》
2. 01芯闻，《Wolfspeed和碳化硅的未来将是何如？》
3. 碳化硅芯片学习条记，《SiC功率器件想象迫切么？— 再谈价值超千万好意思元的Rohm双沟槽专利诉讼案》
4. 碳化硅芯片学习条记，《【第五代专利逾期后】— 硅IGBT的五代后时期，群雄争霸》
5. 张国斌，《原土第三代半导体领军企业派恩杰谈SiC 模块发展趋势》
6. 湖杉本钱，《电动汽车的800V高压平台》
本文来自微信公众号：水深三米（ID：semi_in_water），作家：满川爱潜水